一种基于MCT大功率半导体器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器

A Novel 30 MW Solid-State Pulsed Power Generator Based on MCT High-Power Semiconductor Device

作者	Yingjiang He · Rongrong Tan · Wendong Wang · Xiangyu Liu · Hong Tao · Lei Gao · Yingkun Yang · Ganping Wang · Kun Zhou · Juntao Li
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2026年4月
技术分类	功率器件技术
技术标签	功率模块宽禁带半导体
相关度评分	★★ 2.0 / 5.0
关键词	固态脉冲功率发生器 MCT 高功率半导体 IGBT SiC-MOSFET 功率容量模块化

语言:

中文摘要

全固态脉冲功率发生器因模块化、小型化及长寿命等优势在国防与民用领域应用广泛。固态开关是其核心组件。本文旨在解决IGBT功率容量限制及SiC MOSFET在高压大电流应用中的瓶颈，提出了一种基于MCT（MOS控制晶闸管）器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器设计方案。

English Abstract

All-solid-state pulsed power generator have been widely applied in national defense and civilian fields due to advantages of modularization, miniaturization, high repetition rate and long service life. Solid-state switch is core component in pulse power generator. Aiming at solving the problems of low power capacity of insulated gate bipolar transistor (IGBT) and SiC-metal-oxide-semiconductor fiel...

SunView 深度解读

该文献探讨的MCT器件及大功率脉冲发生技术，主要面向高压、高功率密度及高脉冲电流场景，与阳光电源现有的光伏逆变器、PowerTitan储能系统等主流产品在应用场景上有显著差异。目前阳光电源的功率器件选型主要集中在IGBT和SiC MOSFET，以满足高频、高效的并网需求。建议关注该技术在特种电源或未来超高压直流输电辅助设备中的潜在应用，但在当前光伏与储能核心业务中，该技术路线尚处于学术探索阶段，短期内对产品线无直接影响。