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一种用于降低串联谐振双半桥变换器导通损耗的低复杂度轨迹控制器
A Low-Complexity Trajectory Controller for Reduced Conduction Losses in Series-Resonant Dual Half-Bridge Converters
Francesco Bez · Weijian Han · Luca Corradini · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种用于串联谐振双半桥（SR-DHB）变换器的低复杂度轨迹控制器，旨在实现导通损耗的近最优最小化。该技术基于谐振变换器的最小电流轨迹（MCT）概念，为SR-DHB拓扑构建了分段线性近似（PWL-MCT），可通过数字逻辑高效实现。
解读: 该研究直接针对SR-DHB拓扑的效率优化，与阳光电源的储能变流器（PCS）及双向DC-DC变换器技术高度契合。在PowerTitan和PowerStack等储能系统中，DC-DC环节的效率直接影响系统整体能效。该分段线性近似（PWL-MCT）控制策略复杂度低，易于在DSP或FPGA中实现，能够显著降...
基于CS-MCT的高效固态断路器设计与实验验证
Design and Experimental Verification of an Efficient SSCB Based on CS-MCT
Xiaorui Xu · Wanjun Chen · Hong Tao · Qi Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文提出了一种用于直流微电网保护的新型固态断路器（SSCB）。该方案采用阴极短路MOS控制晶闸管（CS-MCT）作为主开关，实现了高功率效率。该SSCB具备单次触发特性的换流电路，结构紧凑，简化了跳闸过程并易于集成。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及直流微电网解决方案具有重要参考价值。直流侧快速故障切除是高压储能系统安全性的核心，CS-MCT器件的高效特性可降低PCS内部损耗，提升系统整体能效。建议研发团队关注该拓扑在直流配电及储能变流器直流侧保护中的应用，以替代传统机...
一种基于MCT大功率半导体器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器
A Novel 30 MW Solid-State Pulsed Power Generator Based on MCT High-Power Semiconductor Device
Yingjiang He · Rongrong Tan · Wendong Wang · Xiangyu Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
全固态脉冲功率发生器因模块化、小型化及长寿命等优势在国防与民用领域应用广泛。固态开关是其核心组件。本文旨在解决IGBT功率容量限制及SiC MOSFET在高压大电流应用中的瓶颈，提出了一种基于MCT（MOS控制晶闸管）器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器设计方案。
解读: 该文献探讨的MCT器件及大功率脉冲发生技术，主要面向高压、高功率密度及高脉冲电流场景，与阳光电源现有的光伏逆变器、PowerTitan储能系统等主流产品在应用场景上有显著差异。目前阳光电源的功率器件选型主要集中在IGBT和SiC MOSFET，以满足高频、高效的并网需求。建议关注该技术在特种电源或未...