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一种具有可重构高压电荷共享路径的宽频率范围氮化镓半桥驱动器
A Wide-Frequency-Range GaN Half-Bridge Driver With Reconfigurable High-Voltage Charge Sharing Path
| 作者 | Qihuai Lu · Guojia Mu · Xihao Liu · Wenxing Cao · Zhuoqi Guo · Zhongming Xue · Li Geng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 半桥驱动器 高频 电荷共享路径 电力电子 栅极驱动器 宽禁带 |
语言:
中文摘要
针对氮化镓(GaN)半桥驱动器在高频下工作频率范围窄及高侧供电电压不足的问题,本文提出了一种工作频率覆盖1–10 MHz、高侧驱动电压达4.99 V的驱动器。通过引入可重构电荷共享路径(RCSP)等创新技术,有效提升了高频驱动性能。
English Abstract
To address the challenges of narrow operating frequency range and insufficient high-side supply rail voltage at high frequencies in gallium nitride half-bridge drivers, this article proposes a driver capable of operating at 1–10 MHz switching frequency with a high-side driving voltage of 4.99 V. The proposed driver incorporates two novel techniques: reconfigurable charge sharing path (RCSP) and hi...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统(如PowerStack)中对功率密度要求的不断提升,高频化成为必然趋势。GaN器件的应用能显著减小磁性元件体积,提升整机效率。该驱动器技术解决了高频下高侧驱动电压不稳的痛点,对阳光电源下一代高频化、高功率密度组串式逆变器及微型逆变器产品的研发具有重要参考价值。建议研发团队关注该RCSP技术在提升高频开关可靠性方面的潜力,并评估其在未来高频功率模块集成中的应用可行性。