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具有自动相位对齐EMI自抵消和BER感知扩频调制的GaN开关电源IC设计
Design of GaN Switching Power IC With Auto-Phase-Aligned EMI Adaptive Self-Cancellation and BER-Conscious Spread Spectrum Modulation
| 作者 | Lixiong Du · D. Brian Ma |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 充电桩 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN EMI 自适应自抵消 扩频调制 电源 IC 电动汽车 自动相位对齐 |
语言:
中文摘要
针对电动汽车自动驾驶应用中日益严峻的电磁干扰（EMI）挑战，本文开发了一种片上EMI自适应自抵消（ASC）技术。该技术结合自动相位对齐控制机制，在不同工况下均能有效抑制干扰，并引入BER感知扩频调制技术，在提升EMI抑制效果的同时兼顾信号传输质量。
English Abstract
To address mounting electromagnetic interference (EMI) challenges in electric vehicle autonomous driving applications, this article develops an on-chip EMI adaptive self-cancellation (ASC) technique, which stays effective in varying operation conditions. It incorporates an auto-phase-aligned control mechanism to significantly enhance the effectiveness of the ASC technique. Meanwhile, to improve hi...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及高功率密度逆变器产品具有重要参考价值。随着充电桩向高频化、高功率密度方向演进，GaN器件的应用将成为趋势，但随之而来的EMI问题是产品认证的难点。本文提出的自动相位对齐EMI自抵消技术，可集成至充电桩的功率控制芯片中，有效降低滤波器体积，提升系统集成度。建议研发团队关注该片上自适应控制方案，以优化充电桩在复杂电磁环境下的抗干扰能力，并提升产品在车载电子领域的兼容性。