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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

SiC MOSFET隔离栅驱动器中的双向信号与功率共传技术

Bidirectional Signal and Power Co-Transmission Techniques in Isolated Gate Driver for SiC MOSFET

作者 Shijie Song · Han Peng · Qiaoling Tong · Run Min · Yong Kang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 隔离栅驱动器 SiC MOSFET 信号与功率同传 隔离通道 电力电子 紧凑型IGD
语言:

中文摘要

传统隔离栅驱动器(IGD)通过光纤和独立电源分别传输信号与功率,存在延迟大、体积大及成本高等问题。本文提出通过单隔离通道实现信号与功率共传的技术,旨在提升IGD的紧凑性,为中高压应用提供更优的驱动解决方案。

English Abstract

Traditional isolated gate drivers (IGDs) rely on optical fiber (FO) and isolated power supplies to transmit IGD signals and power separately to be applied in medium- and high-voltage applications. However, this method suffers significant signal delay, large size, and high cost. Signal and power co-transmission through one isolation channel will be a potential candidate for a compact IGD. State-of-...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高电压等级(如1500V/2000V系统)演进,SiC MOSFET的驱动电路设计是提升系统效率与功率密度的关键瓶颈。信号与功率共传技术能显著缩小驱动电路PCB面积,降低电磁干扰(EMI)风险,并提升驱动响应速度。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高压SiC逆变器及PCS模块中的应用,以进一步优化产品体积与可靠性,保持在宽禁带半导体应用领域的领先地位。