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一种基于磁耦合闭环控制的GaN HEMT有源栅极驱动器以抑制关断漏源电压过冲和EMI
A GaN HEMT Active Gate Driver to Combat Turn-Off Drain-Source Voltage Overshoot and EMI Based on Magnetic Coupling Closed-Loop Control
| 作者 | Lurenhang Wang · Yishun Yan · Mingcheng Ma · Xizhi Sun · Shuaiqing Zhi · Dianguo Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 有源门极驱动器 电压过冲 EMI 磁耦合 闭环控制 开关速度 |
语言:
中文摘要
与传统硅MOSFET相比，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管具有更快的开关速度。在GaN HEMT关断过程中，电流的快速下降会导致严重的漏源电压过冲和电磁干扰（EMI），限制了其可靠性与应用场景。本文提出了一种基于磁耦合闭环控制的GaN HEMT有源栅极驱动器，有效解决了上述问题。
English Abstract
Compared with traditional Si mosfets, gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) have faster switching speeds. During the turn-off process of GaN HEMTs, the rapid decline of current causes serious drain-source voltage overshoot and electromagnetic interference, which limits the reliability and application scenarios. This article proposed a GaN HEMT active gate driver based on m...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）中对高功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为提升效率的关键。该技术通过有源驱动抑制电压过冲和EMI，能够有效降低逆变器输出滤波器的体积，提升系统集成度。建议研发团队关注该磁耦合闭环驱动方案，将其应用于下一代高频紧凑型组串式逆变器或微型逆变器产品中，以在保证高开关频率的同时，满足严苛的电磁兼容标准，并提升功率器件的长期运行可靠性。