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用于中压SiC MOSFET的低耦合电容恒压栅极驱动电源
Gate Driver Power Supply With Low-Capacitance-Coupling and Constant Output Voltage for Medium-Voltage SiC MOSFETs
| 作者 | Zhixing Yan · Gao Liu · Shaokang Luan · Yuan Gao · Rui Wang · Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Morten Rahr Nielsen · Bjørn Rannestad · Hongbo Zhao · Stig Munk-Nielsen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极驱动器 中压 低电容耦合 电源 宽禁带器件 |
语言:
中文摘要
随着宽禁带器件的发展，10-15 kV电压等级的碳化硅（SiC）器件在中压系统展现出巨大潜力。为确保其可靠运行，栅极驱动电源需满足高压隔离、低耦合电容、抗电压波动干扰等严苛要求。本文提出了一种新型驱动电源拓扑，旨在提升中压SiC MOSFET在高速开关过程中的驱动稳定性与抗干扰能力。
English Abstract
With the development of wide band-gap devices, Silicon Carbide (SiC) semiconductor devices in 10–15 kV voltage class offer potentials in medium-voltage (MV) systems. To ensure the reliable operation of these MV SiC devices, gate driver power supplies must meet specific requirements: MV isolation capability, low coupling capacitance, stable performance across fluctuating voltage potentials, and ass...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的应用日益广泛。该文提出的低耦合电容驱动电源方案，能有效抑制高频开关带来的共模噪声干扰，提升功率模块的电磁兼容性（EMC）与可靠性。建议研发团队关注该拓扑在下一代高功率密度逆变器及中压储能变流器（PCS）中的应用，以优化驱动电路设计，进一步降低开关损耗并提升系统整体效率。