通过3D共封装与增强dv/dt控制能力释放GaN/SiC共源共栅器件的全部潜力

Unlocking the Full Potential of GaN/SiC Cascode Device With 3D Co-Packaging and Enhanced dv/dt Control Capability

作者	Ji Shu · Jiahui Sun · Mian Tao · Yangming Du · Shi-Wei Ricky Lee · Kevin J. Chen
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2025年5月
技术分类	功率器件技术
技术标签	GaN器件 SiC器件功率模块宽禁带半导体
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	GaN-HEMT SiC-JFET 共源共栅器件 3D协同封装寄生电感开关损耗 dv/dt控制

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中文摘要

为充分发挥GaN-HEMT/SiC-JFET共源共栅器件的快速开关潜力，本文提出了一种3D堆叠共封装配置，以最小化寄生互连电感。该方案有效降低了开关损耗并抑制了振荡。基于此3D封装，该器件的dv/dt控制能力得到显著增强，为高频功率变换应用提供了更优的性能表现。

English Abstract

To unlock the full fast-switching potential of the GaN-HEMT/SiC-JFET cascode device, parasitic interconnection inductances are minimized with a 3-D stacked co-packaging configuration. This configuration offers the benefits of reduced switching loss and suppressed oscillation. Equipped with the 3-D co-package configuration, the dv/dt control capability of the GaN/SiC cascode device is enhanced by i...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心业务具有极高的战略价值。在光伏逆变器（尤其是组串式和户用机型）及储能系统（如PowerStack/PowerTitan）中，提升功率密度和转换效率是核心竞争力。3D共封装技术能有效解决宽禁带半导体在高频应用中的寄生参数问题，有助于进一步缩小逆变器体积并提升效率。建议研发团队关注该封装工艺在下一代高频、高功率密度PCS模块中的应用，以应对未来更严苛的散热与电磁兼容挑战，从而在轻量化与高性能产品竞争中保持领先。