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具有闭环时序控制和栅极传感技术的碳化硅功率器件通用有源栅极驱动IC
Universal Active Gate Driver IC With Closed-Loop Timing Control and Gate-Sensing Technique for Silicon Carbide Power Devices
| 作者 | Chia-Wei Kuo · Ting-Wei Wang · Ling-Chia Chen · Chang-Ching Tu · Yi-Kai Hsiao · Po-Hung Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 有源栅极驱动器 开关振荡 EMI 抑制 闭环控制 栅极传感 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）功率MOSFET在高性能系统中需求日益增长，但其高开关速度带来的电压过冲、振荡及电磁干扰（EMI）问题亟待解决。本文提出了一种通用有源栅极驱动（AGD）IC，通过闭环时序控制和栅极传感技术，在抑制过冲与优化开关损耗之间实现了更好的平衡。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) power mosfets provide superior device characteristics, increasing their demand in high-power systems. However, the advantages of SiC also cause switching challenges, including overshoot, oscillation, and electromagnetic interference (EMI). This article introduces a universal active gate driver (AGD) IC to mitigate these issues and achieve a better tradeoff between overshoot a...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成趋势。该有源栅极驱动IC能有效解决SiC在高频开关下的振荡与EMI难题，有助于提升逆变器及PCS的效率，同时降低滤波器体积。建议研发团队关注该闭环控制技术，将其集成至下一代SiC功率模块驱动电路中，以提升产品在复杂电网环境下的可靠性与电磁兼容性能。