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一种用于SiC MOSFET无缝压摆率控制的高性价比有源栅极驱动器
A Cost-Efficient Active Gate Driver for Seamless Slew Rate Control of SiC MOSFETs
| 作者 | Yijun Ding · Chong Zhu · Jiawen Gu · Zhaolin Zhang · Yansong Lu · Yang Xu · Xi Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 有源门极驱动 压摆率控制 电压尖峰 串扰 电力变换器 开关特性 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）MOSFET因其优异的开关特性被广泛应用于高性能功率变换器。虽然开关速度的提升提高了系统效率，但也引发了电压尖峰和串扰等问题。现有的栅极驱动方法难以灵活调节开关过程中的压摆率。本文提出了一种高性价比的有源栅极驱动电路，能够实现对SiC MOSFET开关过程的精确控制，有效抑制电压尖峰并降低电磁干扰。
English Abstract
Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SiC mosfets) are widely used in high-performance power converters due to their superior switching characteristic. The increase of the switching speed improves the efficiency of the system, whereas this also brings undesirable problems, such as voltage spikes and crosstalks. Most existing gate driver methods cannot flexibly regulat...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件已成为主流选择。该有源驱动方案能有效解决SiC高速开关带来的电压尖峰与EMI挑战，有助于优化逆变器及PCS的输出波形质量，降低滤波器体积，从而提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频化功率模块设计中引入该驱动技术，以提升系统可靠性并降低电磁兼容设计难度。