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用于碳化硅MOSFET自适应运行的栅极驱动电路
Gate-Drive Circuits for Adaptive Operation of SiC mosfets
| 作者 | Gard Lyng Rødal · Dimosthenis Peftitsis |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极驱动电路 自适应过驱动 AVSOD 开关特性 电力电子 EMI抑制 |
语言:
中文摘要
本文提出了两种用于碳化硅（SiC）MOSFET的自适应栅极驱动新概念。第一种基于自适应过驱动原理，分别以新型自适应电压源过驱动器（AVSOD）和传统自适应电流源过驱动器形式实现。这些自适应驱动器能够独立调节开关特性，有效优化SiC器件在不同工况下的开关损耗与电磁干扰（EMI）表现。
English Abstract
This article presentstwonovel adaptive gate driving concepts for silicon carbide (SiC) metal-oxide semiconductor field-effect transistors (mosfets). The first concept is based on the adaptive over-driving principle and implemented either as a novel adaptive voltage-source over-driver (AVSOD) or as the conventional adaptive current-source over-driver. The adaptive over-drivers are capable of indepe...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）功率密度的核心。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压、更高开关频率演进，SiC MOSFET的开关损耗与EMI抑制成为技术瓶颈。该研究提出的AVSOD自适应驱动技术，能够根据负载动态调整驱动强度，在保证开关速度的同时抑制电压尖峰，对于优化阳光电源的高效功率模块设计、提升整机效率及可靠性具有重要的工程参考价值，建议在下一代高频化PCS产品研发中进行技术预研。