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用于低温等离子体射流的单开关无变压器电源——3.3 kV SiC MOSFET的应用机遇
Single-Switch Transformer-Less Power Supply for Low Temperature Plasma Jet – 3.3 kV SiC MOSFET Opportunities
| 作者 | David Florez · Hubert Piquet · Eric Bru · Rafael Diez |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率变换器 SiC MOSFET 等离子体射流 介质阻挡放电 脉冲电流模式 高压 无变压器 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种无需高压变压器的简单功率变换器，用于驱动基于介质阻挡放电的等离子体射流。该变换器采用单开关脉冲电流模式，由低压直流源供电，能够向等离子体负载输出高电流幅值的超短脉冲。研究重点探讨了3.3 kV SiC MOSFET在高压脉冲应用中的性能优势。
English Abstract
This work presents a simple power converter, without any high voltage transformer, able to supply and control a plasma jet based on dielectric barrier discharge. The converter, operating in pulsed current mode, requires a single power switch and is fed by a low voltage dc source. It can deliver very short duration pulses to the plasma jet with high current amplitude. The operating principle is exp...
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SunView 深度解读
该文献探讨的3.3 kV SiC MOSFET技术在超短脉冲高压应用中的表现，对阳光电源的功率器件选型具有参考价值。虽然等离子体电源非公司核心业务，但该拓扑中对高压SiC器件的驱动与保护策略，可迁移至公司高压组串式逆变器或大型储能系统（如PowerTitan系列）的辅助电源设计中。随着宽禁带半导体电压等级的提升，未来在更高直流母线电压的储能变流器中，利用此类高性能SiC器件可进一步优化系统体积并提升功率密度。