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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 IGBT SiC器件 ★ 5.0

一种通过低复杂度有源栅极驱动器减少功率开关晶体管过冲和欠冲的自适应方法

An Adaptive Method to Reduce Undershoots and Overshoots in Power Switching Transistors Through a Low-Complexity Active Gate Driver

作者 Erica Raviola · Franco Fiori
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年3月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体 IGBT SiC器件
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 有源门极驱动器 功率开关晶体管 硬开关 过压 欠压 换流 自适应控制
语言:

中文摘要

有源栅极驱动器在硬开关功率晶体管换流过程中能有效抑制过电压和欠电压,并阻尼谐振。然而,其控制策略面临挑战,需兼顾运行条件变化、参数离散性及晶体管非线性。本文提出了一种低复杂度的自适应控制方法,以实现对功率开关瞬态过程的精确优化。

English Abstract

Active gate drivers lend themselves well to reducing over- and undervoltages during the commutations of hard switched power transistors, as well as to damping resonances. However, their control strategy is a major challenge, as it should account for variations of operating condition, parameter spread, and nonlinearities of the driven transistor. This article proposes an effective control method to...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高价值。随着SiC和高压IGBT在电力电子变换器中的广泛应用,开关过程中的电压尖峰和EMI问题是提升功率密度和可靠性的关键瓶颈。该低复杂度有源驱动方案可直接集成于阳光电源的功率模块驱动板中,在无需复杂硬件冗余的前提下,有效抑制开关振荡,提升系统电磁兼容性(EMC),并延长功率器件寿命。建议研发团队评估该算法在下一代高频化、高功率密度逆变器及PCS产品中的应用潜力,以优化系统效率与可靠性。