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排序:
功率器件技术
功率模块
宽禁带半导体
IGBT
★ 5.0
一种通过低复杂度有源栅极驱动器减少功率开关晶体管过冲和欠冲的自适应方法
An Adaptive Method to Reduce Undershoots and Overshoots in Power Switching Transistors Through a Low-Complexity Active Gate Driver
Erica Raviola · Franco Fiori · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月
有源栅极驱动器在硬开关功率晶体管换流过程中能有效抑制过电压和欠电压，并阻尼谐振。然而，其控制策略面临挑战，需兼顾运行条件变化、参数离散性及晶体管非线性。本文提出了一种低复杂度的自适应控制方法，以实现对功率开关瞬态过程的精确优化。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高价值。随着SiC和高压IGBT在电力电子变换器中的广泛应用，开关过程中的电压尖峰和EMI问题是提升功率密度和可靠性的关键瓶颈。该低复杂度有源驱动方案可直接集成于阳光电源的功率模块驱动板...