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高压芯片级串联SiC MOSFET模块的设计与性能
Design and Performance of High Voltage Chip-Level Series-Connected SiC MOSFET Module
| 作者 | Hai Shang · Lin Liang · Yijian Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高压SiC MOSFET 芯片级串联 平面封装 寄生电感 功率模块 中压应用 |
语言:
中文摘要
针对中高压应用，本文提出了一种基于平面封装的芯片级串联SiC MOSFET模块。该方案旨在解决单芯片高压SiC MOSFET工艺不成熟导致的高成本问题，以及传统分立器件串联带来的寄生电感大等性能瓶颈，通过芯片级集成优化了高压功率模块的电气性能。
English Abstract
In medium voltage (MV) and high voltage (HV) applications, HV SiC mosfet with a single chip competes with series-connected low voltage (LV) SiC mosfet. The cost of the former is high due to immature process, and the parasitic inductance of the latter is large due to series-connected devices. In this article, a novel chip-level series-connected SiC mosfet module based on planar packaging is propose...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高的战略价值。在光伏逆变器（尤其是大功率组串式及集中式）和储能系统（如PowerTitan系列）向更高电压等级（1500V及以上）演进的过程中，该芯片级串联技术能有效降低系统成本并提升功率密度。通过优化寄生电感，该方案有助于提升高频开关性能，减少开关损耗，从而进一步提升逆变器和PCS的转换效率。建议研发团队关注该平面封装技术在下一代高压功率模块中的应用，以提升产品在复杂电网环境下的热管理能力和可靠性。