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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种用于高压SiC MOSFET的自适应电流源栅极驱动器

An Adaptive Current-Source Gate Driver for High-Voltage SiC mosfets

作者 Gard Lyng Rodal · Dimosthenis Peftitsis
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年2月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 栅极驱动器 电流源 di/dt控制 dv/dt控制 开关延迟 电力电子
语言:

中文摘要

本文提出了一种具有自适应功能的新型SiC MOSFET电流源栅极驱动器。该驱动器旨在解耦并改善di/dt和dv/dt的可控性,同时相较于传统的图腾柱电压源驱动器,显著降低了开关延迟时间。

English Abstract

This article presents a novel current-source gate driver for Silicon Carbide (SiC) metal oxide semiconductor field-effect transistors (mosfets) with adaptive functionalities. The proposed driver aims to decouple and improve controllability of $di/dt$, $dv/dt$, as well as to decrease turn-on and turn-offdelay times compared to conventional totem-pole voltage-source gate drivers and conventional cur...
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SunView 深度解读

随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用高压SiC MOSFET,开关损耗与电磁干扰(EMI)的平衡成为提升功率密度的关键。该自适应驱动技术能有效优化SiC器件的开关轨迹,在保证高效率的同时抑制电压尖峰,对提升逆变器及PCS产品的功率密度和可靠性具有重要参考价值。建议研发团队评估该驱动方案在兆瓦级储能变流器中的应用潜力,以进一步降低系统散热需求并提升整体转换效率。