← 返回
基于半桥功率模块考虑寄生参数的高频开关振荡传导共模电流分析与优化
Analysis and Optimization of High-Frequency Switching Oscillation Conducted CM Current Considering Parasitic Parameters Based on a Half-Bridge Power Module
| 作者 | Qingshou Yang · Laili Wang · Zhiyuan Qi · Xiaohui Lu · Zaojun Ma · Fengtao Yang · Haihua Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 组串式逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET SiC SBD 寄生参数 开关振荡 共模电流 电磁干扰 功率模块 |
语言:
中文摘要
本文研究了SiC MOSFET与SiC SBD构成的功率模块在开关过程中的高频振荡问题。分析了功率模块寄生参数对共模电流传播路径的影响，并提出了相应的优化策略，以缓解SiC器件高速开关带来的电磁干扰（EMI）挑战。
English Abstract
SiC mosfets with antiparallel SiC schottky barrier diodes (SBDs) without reverse recovery can significantly reduce turn-on switching loss. However, this will exacerbate the oscillation during the switching process, making the electromagnetic interference problem more serious. This article analyzes the influence of the power module parasitic parameters on the propagation path and proposes the optim...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该研究针对SiC模块高频振荡及EMI问题，直接指导了公司在功率模块选型、PCB布局优化及驱动电路设计方面的工程实践。通过抑制开关振荡，可有效降低EMI滤波器体积，提升系统功率密度，并增强产品在复杂电网环境下的电磁兼容性，对优化下一代高频化逆变器及PCS产品设计具有重要参考价值。