一种具有间接栅极氧化层健康监测功能的自适应电平移位栅极驱动器，用于抑制SiC MOSFET串扰

Adaptive Level-Shift Gate Driver With Indirect Gate Oxide Health Monitoring for Suppressing Crosstalk of SiC MOSFETs

作者	Ho-Tin Tang · Henry Shu-Hung Chung · Kevin Jing Chen
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2023年8月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体可靠性分析故障诊断
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC MOSFET 栅极驱动器串扰栅氧化层健康监测可靠性短路老化

语言:

中文摘要

本文提出了一种用于桥式SiC MOSFET串扰抑制的自适应栅极驱动器，集成了间接栅极氧化层健康监测功能。通过对短路老化前后SiC MOSFET固有参数变化的全面评估，发现栅极漏电流是反映栅极氧化层退化的有效前兆指标。

English Abstract

An adaptive level-shift gate driver with indirect gate oxide health monitoring for suppressing crosstalk of bridge-leg configured SiC mosfets is proposed. This article firstly presents a holistic assessment of the changes in major intrinsic parameters before and after aging SiC mosfets with repetitive short-circuit tests. Gate leakage is found to be an appropriate precursor to reflect gate oxide d...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，串扰抑制和器件可靠性监测成为关键挑战。该驱动方案不仅能解决高频开关下的串扰问题，提升系统EMC性能，其集成的健康监测功能还可直接赋能iSolarCloud智能运维平台，实现对功率模块的预测性维护，降低电站运维成本，提升系统全生命周期可靠性。