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功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

用于GaN功率模块的集成共模滤波器及其高频EMI性能提升

Integrated Common-Mode Filter for GaN Power Module With Improved High-Frequency EMI Performance

作者 Niu Jia · Xingyue Tian · Lingxiao Xue · Hua Bai · Leon M. Tolbert · Han Cui
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年6月
技术分类 功率器件技术
技术标签 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 GaN 功率模块 EMI 共模滤波器 宽禁带 高频 寄生参数
语言:

中文摘要

宽禁带(WBG)器件在提升功率密度和效率的同时,因其快速开关特性加剧了电磁干扰(EMI)问题。本文提出了一种集成共模滤波器设计,通过优化寄生参数,有效抑制了高频EMI噪声,为高频电力电子系统的电磁兼容性提供了解决方案。

English Abstract

While the employment of wide bandgap (WBG) devices in high-frequency and high-voltage applications brings benefits such as reduced system size and improved efficiency, it aggravates the electromagnetic interference (EMI) issue due to fast switching. High-frequency EMI noise suppression relies mainly on the filter design, where the filter's performance is strongly affected by parasitics. Through an...
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SunView 深度解读

随着阳光电源组串式逆变器及户用储能产品向高功率密度和高开关频率演进,GaN等宽禁带器件的应用成为提升效率的关键。然而,高频开关带来的EMI挑战直接影响产品认证与电磁兼容性。本文提出的集成共模滤波器技术,有助于优化阳光电源功率模块的布局设计,减少外部滤波器的体积与寄生参数影响,从而在保证EMI合规的前提下,进一步缩小逆变器及PCS产品的体积,提升系统集成度与市场竞争力。