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电荷载流子寿命定制型高压SiC p-i-n二极管的静态与动态性能及电容辅助开关技术
Static and Dynamic Performance of Charge-Carrier Lifetime-Tailored High-Voltage SiC p-i-n Diodes With Capacitively Assisted Switching
| 作者 | Keijo Jacobs · Mietek Bakowski · Per Ranstad · Hans-Peter Nee |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC p-i-n二极管 载流子寿命 电力变换器 高压器件 电容辅助开关 |
语言:
中文摘要
本文探讨了碳化硅(SiC)功率半导体技术的最新进展。针对高压应用场景,研究了通过定制电荷载流子寿命来优化SiC p-i-n二极管的静态导通与动态开关性能,并引入电容辅助开关技术以提升高功率转换器的效率与可靠性。
English Abstract
Recent advancements in the silicon carbide (SiC) power semiconductor technology offer improvements for high-power converters, where today silicon (Si) devices are still dominant. Bipolar SiC devices feature particularly good conduction capability while blocking high voltages. With expected advances in SiC material quality and processing technology, resulting in higher charge carrier lifetimes, met...
S
SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源的核心功率半导体选型与模块设计。随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中对高压、高功率密度要求的不断提升,SiC器件的应用已成为降低损耗、缩小体积的关键。通过对SiC p-i-n二极管载流子寿命的定制及电容辅助开关技术的优化,可进一步提升逆变器及PCS在高温、高压工况下的效率,降低散热压力,从而优化整机成本与可靠性。建议研发团队关注该技术在下一代高压储能变流器及大型地面光伏逆变器功率模块中的应用潜力。