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用于改善SiC MOSFET开关特性的C-RC缓冲电路优化设计
C-RC Snubber Optimization Design for Improving Switching Characteristics of SiC MOSFET
| 作者 | Mengwei Xu · Xin Yang · Jiawen Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET C-RC缓冲电路 开关振荡 电压过冲 缓冲损耗 电力电子 开关瞬态 |
语言:
中文摘要
针对SiC MOSFET超快开关瞬态引起的振荡和电压过冲问题，本文提出了一种优化的C-RC缓冲电路设计。该方案在有效抑制开关振荡和过电压的同时，相比传统缓冲电路显著降低了损耗，提升了电力电子变换器的整体效率与可靠性。
English Abstract
The switching oscillations and voltage overshoots excited by ultrafast switching transients are urgently required to be overcome for SiC mosfet. Herein, the C-RC snubber is employed to address these adverse issues. An optimized C-RC snubber design is proposed, which can not only suppress the switching oscillation and overvoltage, but also effectively reduce the snubber loss compared with the dc-li...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS向高功率密度、高开关频率发展，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的核心。该文献提出的C-RC缓冲优化设计，能有效解决高频开关带来的电压尖峰与EMI问题，对于优化阳光电源高压储能系统及新一代光伏逆变器功率模块设计具有重要参考价值。建议研发团队在SiC功率模块驱动电路设计中引入该优化方案，以在保证开关速度的前提下，降低缓冲损耗，进一步提升整机效率并延长器件寿命。