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功率场效应管硬开关损耗：输出电容的作用
Hard-Switching Losses in Power FETs: The Role of Output Capacitance
| 作者 | Nirmana Perera · Armin Jafari · Reza Soleimanzadeh · Nicolas Bollier · Sunil Gamini Abeyratne · Elison Matioli |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 硬开关损耗 功率FET 输出电容 Coss 大信号行为 输出电荷 电力电子 开关性能 |
语言:
中文摘要
本文探讨了软开关操作中场效应管（FET）输出电容（Coss）的大信号行为与数据手册标称值的偏差。这种偏差会显著影响硬开关损耗，特别是在输出电荷量与电压关系不一致时。此外，文章指出标准硬开关测试方法在评估此类损耗时存在局限性。
English Abstract
For certain field-effect transistors (FETs) in soft-switching operation, the large-signal behavior of their output capacitance (${C}_\text{o}$) has shown to deviate considerably from the datasheet values. This can have a significant effect on hard-switching losses if the value of output charge is also different for a given voltage. In addition, standard hard-switching tests are incapable of fully ...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的高功率密度产品线（如PowerTitan储能系统及组串式逆变器）至关重要。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在PCS及逆变器中的广泛应用，准确评估Coss对硬开关损耗的影响，能有效提升系统转换效率并优化热设计。建议研发团队在功率模块选型及驱动电路设计中，摒弃仅依赖数据手册静态参数的习惯，引入动态大信号特性测试，以提升高频化拓扑的可靠性与效率，进一步巩固阳光电源在电力电子变换效率方面的行业领先地位。