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超宽/宽禁带器件、封装、控制、电磁干扰及电力电子应用特刊客座社论
Guest Editorial Special Section on Ultrawide/Wide Bandgap Device, Packaging, Control, EMI, and Applications for Power Electronics
| 作者 | Sudip K. Mazumder · John Shen · Shuo Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带 超宽禁带 电力电子 封装 EMI 控制 半导体器件 |
本文为IEEE电力电子汇刊特刊的客座社论，重点探讨了超宽禁带（UWBG）与宽禁带（WBG）半导体器件的最新进展。内容涵盖了从功率器件设计、先进封装技术、控制策略优化到电磁干扰（EMI）抑制及电力电子系统应用的全方位技术挑战与解决方案。
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SunView 深度解读
该文章聚焦的宽禁带半导体（SiC/GaN）技术是阳光电源核心产品线的技术基石。对于组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统，引入高性能宽禁带器件能显著提升功率密度并降低损耗。文章中提及的先进封装与EMI抑制技术，对阳光电源优化高频化逆变器设计、提升系统电磁兼容性具有重要指导意义。建议研发团队重点关注文中关于UWBG器件的可靠性评估方法，以进一步提升阳光电源产品在极端工况下的长效运行能力，保持在行业内的技术领先优势。