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功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

功率场效应管硬开关损耗:输出电容的作用

Hard-Switching Losses in Power FETs: The Role of Output Capacitance

Nirmana Perera · Armin Jafari · Reza Soleimanzadeh · Nicolas Bollier 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

本文探讨了软开关操作中场效应管(FET)输出电容(Coss)的大信号行为与数据手册标称值的偏差。这种偏差会显著影响硬开关损耗,特别是在输出电荷量与电压关系不一致时。此外,文章指出标准硬开关测试方法在评估此类损耗时存在局限性。

解读: 该研究对阳光电源的高功率密度产品线(如PowerTitan储能系统及组串式逆变器)至关重要。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在PCS及逆变器中的广泛应用,准确评估Coss对硬开关损耗的影响,能有效提升系统转换效率并优化热设计。建议研发团队在功率模块选型及驱动电路设计中,摒弃仅依赖数据手册静态参数的习...