← 返回
具有超薄势垒结构的6英寸高压GaN基增强型HEMT：界面质量及其可靠性
6-in. high-voltage GaN-based E-mode HEMTs with ultrathin barrier structures: Interface quality and its reliability
| 作者 | Nan Sun · Ronghua Wang · Runxin Microelectronics Corporation · Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Corporation · Huolin Huang · Jianxun Dai |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 11 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN基E模式HEMTs 超薄势垒结构 界面质量 可靠性 高压 |
语言:
中文摘要
本文报道了基于6英寸硅衬底的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管（E-HEMT），采用超薄势垒层结构。通过优化界面控制与材料生长工艺，显著提升了异质结界面质量，有效降低了界面态密度并改善了二维电子气特性。器件表现出优异的击穿电压与导通电阻平衡特性，并在高温反向偏压应力下展现出良好的长期可靠性，界面退化机制被系统分析。该研究为高性能、高可靠GaN功率器件的规模化制造提供了技术支撑。
English Abstract
Nan Sun, Ronghua Wang, Huolin Huang, Jianxun Dai, Yun Lei, Qingyuan Zuo, Rong Han, Pengcheng Tao, Yanhong Liu, Yongshuo Ren, Wanxi Cheng, Huinan Liang; 6-in. high-voltage GaN-based E-mode HEMTs with ultrathin barrier structures: Interface quality and its reliability. _Appl. Phys. Lett._ 17 March 2025; 126 (11): 112105.
S
SunView 深度解读
该研究的超薄势垒GaN E-HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。6英寸晶圆规模化制造工艺可降低GaN器件成本,有利于在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中推广应用。优化的界面质量和可靠性特性可提升产品在高温、高压工况下的稳定性,特别适合PowerTitan等大功率储能系统。器件优异的击穿电压与导通电阻特性,可显著提升车载OBC和充电桩的功率密度。这为阳光电源开发更高效、更紧凑的新一代电力电子产品提供了关键器件支撑。