← 返回
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)工作周期对输出脉冲参数的影响
Influence of DSRD Operation Cycle on the Output Pulse Parameters
| 作者 | Alexander G. Lyublinsky · Alexei F. Kardo-Sysoev · Maksim N. Cherenev · Mikhail I. Vexler |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | 漂移阶跃恢复二极管 DSRD 高压纳秒脉冲 电感储能 脉冲压缩 半导体断路开关 |
语言:
中文摘要
漂移阶跃恢复二极管（DSRD）是用于产生高压纳秒脉冲的半导体开关器件。基于DSRD的电路利用电感储能，可将数十至数百纳秒的输入脉冲压缩至纳秒或亚纳秒级输出。尽管其物理原理已得到广泛研究，但其工作周期对输出脉冲参数的具体影响仍需深入分析。
English Abstract
Drift step recovery diodes (DSRDs) are semiconductor opening switches designed for the forming of high-voltage nanosecond pulses. DSRD-based circuit includes inductive energy storage and works as a high-efficient compression stage of the tens to hundreds of nanoseconds input pulse down to nanosecond or subnanosecond range output pulse. Despite the well-investigated physical principles, a lot of pu...
S
SunView 深度解读
DSRD技术主要应用于超高压、超快脉冲功率领域，与阳光电源目前主流的光伏逆变器（IGBT/SiC基）和储能PCS产品线存在技术差异。该技术属于极窄脉冲功率电子范畴，在阳光电源现有产品中暂无直接应用场景。但从功率器件演进角度看，该研究对于理解极端工况下半导体开关的动态特性具有参考价值。建议关注其在未来高频功率变换或特殊测试设备中的潜在应用，目前无需将其纳入核心研发路线。