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漂移阶跃恢复二极管(DSRD)工作周期对输出脉冲参数的影响
Influence of DSRD Operation Cycle on the Output Pulse Parameters
Alexander G. Lyublinsky · Alexei F. Kardo-Sysoev · Maksim N. Cherenev · Mikhail I. Vexler · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
漂移阶跃恢复二极管（DSRD）是用于产生高压纳秒脉冲的半导体开关器件。基于DSRD的电路利用电感储能，可将数十至数百纳秒的输入脉冲压缩至纳秒或亚纳秒级输出。尽管其物理原理已得到广泛研究，但其工作周期对输出脉冲参数的具体影响仍需深入分析。
解读: DSRD技术主要应用于超高压、超快脉冲功率领域，与阳光电源目前主流的光伏逆变器（IGBT/SiC基）和储能PCS产品线存在技术差异。该技术属于极窄脉冲功率电子范畴，在阳光电源现有产品中暂无直接应用场景。但从功率器件演进角度看，该研究对于理解极端工况下半导体开关的动态特性具有参考价值。建议关注其在未来...
4H-碳化硅漂移阶跃恢复二极管脉冲发生器的设计与优化
Design and Optimization of a 4H-Silicon Carbide Drift Step Recovery Diode Pulse Generator with 7.91-kV Output and 1.41-ns Rise Time
Tong Liu · Lin Liang · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月
为提升4H-SiC DSRD的反向电流能力，进而提高脉冲输出峰值电压并缩短上升时间，本文提出一种新型双电源4H-SiC DSRD脉冲发生器。采用Sentaurus TCAD软件仿真分析影响脉冲输出特性的电路参数，确定最佳正向泵浦时间为110 ns，直流输入电压V<sub>CC</sub>和V<sub>1</sub>分别为700 V和200 V，DSRD支路输出级电容和电感分别为20 nF和100 nH。实验观测到输出电压存在两个预脉冲，并分别解释其成因。通过合理控制泵浦时间可有效抑制预脉冲。实验...
解读: 该4H-SiC DSRD脉冲发生器技术对阳光电源的SiC功率器件应用具有重要参考价值。其7.91kV高压输出和1.41ns超快上升时间特性，可为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET/IGBT驱动电路设计提供借鉴，特别是在1500V高压系统中实现更快的开关速度和更低的开关损耗...
基于漂移阶跃恢复二极管的脉冲发生器输出脉冲过程物理建模
Physical Modeling of Output Pulse Process in Pulse Generator Based on Drift Step Recovery Diodes
Ziwen Chen · Yuxiao Yang · Zao Yang · Binghui Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
漂移阶跃恢复二极管（DSRD）是高功率、高频脉冲发生器的核心组件。现有模型多关注器件结构参数，忽略了输出电流和脉宽等电路参数的影响。本文提出了一种综合考虑器件与电路参数的物理模型，旨在优化脉冲发生器的性能设计。
解读: DSRD主要应用于超高频、超快脉冲功率领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流电力电子产品线存在技术差异。目前阳光电源产品主要基于Si/SiC/GaN功率器件，DSRD的应用场景较窄。但在前沿电力电子技术储备方面，该物理建模方法论可为公司研发团队在处理高频开关瞬态过程、优化功率模块...