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通过栅极驱动设计调节垂直GaN JFET的雪崩路径
Tuning Avalanche Path in Vertical GaN JFETs By Gate Driver Design
| 作者 | Jingcun Liu · Ruizhe Zhang · Ming Xiao · Subhash Pidaparthi · Hao Cui · Andrew Edwards · Cliff Drowley · Yuhao Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 垂直结构GaN JFET 1.2-kV电力电子 雪崩能力 栅极驱动设计 鳍片沟道 功率半导体 鲁棒性 |
语言:
中文摘要
1.2kV垂直氮化镓（GaN）鳍式沟道结型场效应晶体管（JFET）是极具潜力的功率器件，其导通电阻低于同规格SiC MOSFET。本文研究了垂直GaN JFET的雪崩能力，并提出通过栅极驱动设计来优化其雪崩路径，以提升器件在电力电子应用中的鲁棒性。
English Abstract
The 1.2-kV vertical gallium nitride (GaN) fin-channel junction-gate field-effect transistor (JFET) has recently emerged as a promising candidate for power electronics. It is normally off and has a specific on-resistance smaller than that of 1.2-kV SiC mosfets. A robust avalanche capability has also been reported in vertical GaN JFETs with an avalanche c...
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SunView 深度解读
作为全球领先的光伏和储能供应商，阳光电源在追求更高功率密度和效率的过程中，对宽禁带半导体技术高度关注。1.2kV垂直GaN JFET在耐压和导通电阻上的优势，使其在未来高压组串式逆变器及小型化储能PCS中具有应用潜力。该研究提出的栅极驱动优化方案，能够有效提升GaN器件在复杂工况下的雪崩耐受力，这对解决GaN器件在工业级应用中的可靠性痛点至关重要。建议研发团队关注该器件的量产成熟度，并探索其在户用光伏逆变器及紧凑型充电桩模块中的应用，以进一步提升产品竞争力。