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基于负压自恢复栅极驱动的GaN桥式电路串扰抑制方法
Crosstalk Suppression Method for GaN-Based Bridge Configuration Using Negative Voltage Self-Recovery Gate Drive
| 作者 | Binxing Li · Guoqiang Zhang · Chengrui Li · Gaolin Wang · Shaobo Liu · Dianguo Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 串扰抑制 栅极驱动 桥式配置 负电压 米勒电流 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型负压自恢复栅极驱动(NVSRGD)电路,旨在抑制GaN桥式配置中的串扰问题。通过引入电阻-电容-二极管分压网络建立负栅源电压,有效抑制正向串扰影响,并利用反并联二极管提供低阻抗米勒电流路径,提升了高频开关下的系统稳定性。
English Abstract
In order to suppress the crosstalk in gallium nitride (GaN) based bridge configuration, a novel negative voltage self-recovery gate drive (NVSRGD) is proposed in this article. The resistor–capacitor–diode voltage divider is applied to establish the negative gate–source voltage and suppress the impact of positive crosstalk. The antiparallel diode is added to constitute a low-impedance Miller curren...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用成为趋势。该研究提出的NVSRGD技术能有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题,提升系统可靠性。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器及微型逆变器设计中引入该驱动方案,以优化开关损耗并缩小磁性元件体积,进一步提升iSolarCloud平台下产品的能效表现。