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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于负压自恢复栅极驱动的GaN桥式电路串扰抑制方法

Crosstalk Suppression Method for GaN-Based Bridge Configuration Using Negative Voltage Self-Recovery Gate Drive

Binxing Li · Guoqiang Zhang · Chengrui Li · Gaolin Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文提出了一种新型负压自恢复栅极驱动(NVSRGD)电路,旨在抑制GaN桥式配置中的串扰问题。通过引入电阻-电容-二极管分压网络建立负栅源电压,有效抑制正向串扰影响,并利用反并联二极管提供低阻抗米勒电流路径,提升了高频开关下的系统稳定性。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用成为趋势。该研究提出的NVSRGD技术能有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题,提升系统可靠性。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器及微型逆变器设计中引入该驱动方案,以优化开关损耗并缩小磁性元件体积,进一步提升...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 三电平 ★ 4.0

用于GaN器件串扰抑制且具有低反向导通损耗的三电平栅极驱动电路

Three-Level Gate Drive for Crosstalk Suppression of GaN Devices With Low Reverse Conduction Loss

Yishun Yan · Lurenhang Wang · Mingcheng Ma · Xuchong Cai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

针对GaN器件在桥式电路中因串扰问题限制高频应用的情况,本文提出了一种新型三电平栅极驱动电路。该方案在开关管导通和关断的死区时间内,通过电容-NMOS电路提供低阻抗路径以抑制米勒电流,有效抑制了串扰,同时降低了反向导通损耗,提升了高压高频变换器的效率。

解读: 该技术对阳光电源的下一代高频化、高功率密度产品具有重要参考价值。在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中,GaN器件的应用是提升效率和减小体积的关键。该三电平驱动方案能有效解决GaN在高压桥式拓扑中的串扰难题,提升系统可靠性。建议研发团队关注该驱动电路在PowerStack等储能系统辅助电源或高频DC-...