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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

宽禁带功率电子模块的3D棱柱封装方法

3-D Prismatic Packaging Methodologies for Wide Band Gap Power Electronics Modules

作者 Haotao Ke · Utkarsh Mehrotra · Douglas C. Hopkins
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2021年11月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 三维封装 功率模块 寄生电感 宽禁带半导体 传热 电力电子
语言:

中文摘要

功率模块中的寄生电感限制了高频动态性能,而散热面积限制了功率密度。本文提出了一种基于互感抵消和多面散热概念的3D电力电子设计方法,并针对宽禁带半导体器件提出了新型3D棱柱封装方案,以提升模块的电热性能。

English Abstract

In a power module the parasitic inductance limits the dynamic high-frequency performance, and the area of the cooling surfaces limits the power capability. This article presents a new 3-D power electronic design methodology based on the concept of mutual inductance cancellation and multisided heat transfer. New 3-D prismatic packaging concepts are proposed for wide band gap power devices, where th...
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SunView 深度解读

该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着组串式逆变器和PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC等宽禁带器件的应用已成为主流。该3D封装技术通过降低寄生电感和优化散热,能有效提升逆变器及PCS的效率与功率密度,减少开关损耗。建议研发团队关注该封装结构在下一代高压储能变流器及高频光伏逆变器模块中的应用,以进一步缩小整机体积并提升热管理水平,保持行业领先优势。