具备纳秒级反向恢复与强浪涌电流能力的1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3异质结二极管

1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With Nanosecond Reverse Recovery and Rugged Surge-Current Capability

作者	Hehe Gong · Feng Zhou · Weizong Xu · Xinxin Yu · Yang Xu · Yi Yang · Fang-fang Ren · Shulin Gu · Youdou Zheng · Rong Zhang · Hai Lu · Jiandong Ye
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2021年11月
技术分类	功率器件技术
技术标签	宽禁带半导体功率模块
相关度评分	★★★ 3.0 / 5.0
关键词	Ga2O3 异质结二极管电力电子反向恢复浪涌电流能力宽禁带

语言:

中文摘要

本文展示了一种NiO/Ga2O3 p-n异质结二极管（HJD），在实现快速反向恢复特性与强浪涌电流承受能力之间取得了优异平衡。该器件通过双层p-NiO结构设计，在1.37 kV的高压下表现出优异的动态性能与可靠性，为氧化镓功率电子技术的发展提供了重要参考。

English Abstract

Ga2O3 power diodes with high voltage/current ratings, superior dynamic performance, robust reliability, and potentially easy-to-implement are a vital milestone on the Ga2O3 power electronics roadmap. In this letter, a better tradeoff between fast reverse-recovery and rugged surge-current capability has been demonstrated in NiO/Ga2O3 p-n heterojunction diodes (HJDs). With the double-layered p-NiO d...

SunView 深度解读

氧化镓（Ga2O3）作为超宽禁带半导体，在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术目前处于前沿研究阶段，短期内主要影响组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）中功率模块的选型演进。虽然目前SiC和GaN是主流，但Ga2O3在耐压和成本方面具备长期替代优势。建议研发团队持续跟踪该器件在高温、高压环境下的长期可靠性表现，评估其在下一代高功率密度逆变器中作为续流二极管的应用潜力，以保持在电力电子核心器件技术上的前瞻性布局。