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一种采用烧结银中间层的双面冷却SiC MOSFET功率模块:设计、仿真、制造与性能表征
A Double-Side Cooled SiC MOSFET Power Module With Sintered-Silver Interposers: I-Design, Simulation, Fabrication, and Performance Characterization
| 作者 | Chao Ding · Heziqi Liu · Khai D. T. Ngo · Rolando Burgos · Guo-Quan Lu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双面冷却 SiC MOSFET 功率模块 银烧结 寄生电感 热管理 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于电驱动逆变器的平面双面冷却功率模块。针对传统刚性互连带来的可靠性问题,采用多孔烧结银中间层技术。通过设计、仿真、制造及性能表征,验证了该结构在降低封装寄生电感、提升散热能力及增强模块可靠性方面的优势。
English Abstract
Planar, double-side cooled power modules are emerging in electric-drive inverters because of their low profile, better heat extraction, and lower package parasitic inductances. However, there is still a concern about their reliability due to the rigid interconnection between the device chips and two substrates of the power module. In this article, a porous interposer made of low-temperature sinter...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有极高价值。随着高功率密度需求提升,SiC器件的应用已成趋势,双面冷却技术能显著降低热阻并提升功率密度,直接助力提升逆变器和PCS的效率与体积比。此外,烧结银互连技术能有效解决高频开关下的热疲劳问题,提升产品在极端工况下的可靠性。建议研发团队关注该封装工艺在下一代高压、高功率密度模块中的应用,以进一步优化阳光电源核心产品的散热设计与系统集成度。