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采用复合终端的氧化镓肖特基势垒二极管静态与动态特性实验研究
Experimental Study on Static and Dynamic Characteristics of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Compound Termination
| 作者 | Yuxi Wei · Xiaorong Luo · Yuangang Wang · Juan Lu · Zhuolin Jiang · Jie Wei · Yuanjie Lv · Zhihong Feng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Ga2O3 肖特基势垒二极管 复合终端 击穿电压 反向恢复 电力电子 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
本文提出并实验研究了一种具有改进击穿电压的超快反向恢复β-Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）。该器件采用复合终端结构，结合了空气间隙场板和热氧化终端，有效降低了介质/Ga2O3界面的高密度界面态及电子浓度，提升了器件的耐压性能与开关特性。
English Abstract
In this letter, the ultrafast reverse recovery β-Ga2O3 Schottky barrier diode (SBD) with improved breakdown voltage is proposed and investigated experimentally. It features the compound termination, consisting of air space field plate and thermal oxidation terminal. The compound termination not only reduces high-density interface states at the dielectric/Ga2O3 interface and the electron concentrat...
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SunView 深度解读
氧化镓（Ga2O3）作为超宽禁带半导体，在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现产业化，将显著提升组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）的效率与功率密度，并减小散热系统体积。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及成本演进，评估其在下一代高压光伏汇流及储能变换环节的替代潜力，以保持在功率器件前沿技术上的竞争优势。