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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 3.0

用于高重复频率

200 kHz)高压

作者 Hyun-Bin Jo · Seung-Ho Song · Seung-Hee Lee · Hong-Je Ryoo
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2021年9月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体 SiC器件
相关度评分 ★★★ 3.0 / 5.0
关键词 固态脉冲功率调制器 MOSFET 栅极驱动电路 高重复频率 高电压 电力电子
语言:

中文摘要

本文开发了一种用于产生高重复频率脉冲的固态脉冲功率调制器。针对等离子体源离子注入、沉积及类金刚石碳涂层等应用需求,该调制器实现了高压与高频脉冲的精确控制,重点解决了高压MOSFET栅极驱动电路的设计挑战,以满足高重复频率下的开关性能与可靠性要求。

English Abstract

Solid-state pulsed-power modulators can effectively generate high repetition rate pulses, which are required in applications where the process rate depends on the repetition rate, e.g., plasma source ion implantation and deposition, plasma immersion ion milling, and diamond-like carbon coating. In this article, a solid-state pulsed-power modulator for generating high repetitive pulses is developed...
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SunView 深度解读

该研究聚焦于高压、高频开关驱动技术,对阳光电源的功率器件应用具有参考价值。虽然目前光伏逆变器和储能PCS(如PowerTitan)主要采用IGBT或SiC模块,开关频率尚未达到200kHz量级,但随着宽禁带半导体(SiC/GaN)在下一代高功率密度逆变器中的普及,栅极驱动电路在高频下的抗干扰、低延迟及驱动能力设计将成为提升效率的关键。建议研发团队关注该文在高频驱动下的寄生参数抑制技术,以优化未来高频化、小型化产品的功率模块设计。