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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种基于耦合电感的SiC MOSFET串联主动均压方法

An Active Voltage Balancing Method for Series Connection of SiC MOSFETs With Coupling Inductor

作者 Chengmin Li · Saizhen Chen · Wuhua Li · Huan Yang · Xiangning He
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2021年9月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 串联连接 电压均衡 耦合电感 电力电子 电压偏差
语言:

中文摘要

SiC MOSFET串联是提升器件耐压等级的有效途径,但电压不平衡是其面临的核心挑战。本文提出了一种适用于两管串联的主动均压方法,通过应用低匝数的多绕组耦合电感,实现了电压偏差的有效抑制。

English Abstract

The series connection of SiC MOSFETs is an attractive way to expand the voltage of SiC devices. However, the voltage imbalance is among the most critical challenges to overcome. In this letter, an active voltage balancing method suitable for two devices connected in series is proposed. Specifically, a multiwinding coupling inductor with low number of turns is applied to achieve voltage deviation s...
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SunView 深度解读

该技术对于阳光电源在高压大功率电力电子变换器(如大型集中式光伏逆变器、高压储能PCS及风电变流器)的研发具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,SiC器件的应用日益广泛。通过耦合电感实现主动均压,可有效解决串联器件的动态电压不平衡问题,提升系统可靠性并降低对器件筛选的依赖。建议研发团队评估该方案在PowerTitan等高压储能系统及大功率组串式逆变器功率模块中的应用可行性,以进一步优化功率密度和热管理性能。