← 返回
封装型氮化镓HEMT生物传感器及用于脑损伤检测的手持系统
Packaged GaN HEMT biosensor and handheld system for brain injury detection
| 作者 | Rajiv Thakur · Anil Kumar Saini · Nikhil Suri · Dheeraj Kumar Kharbanda |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 9 期 |
| 技术分类 | 电动汽车驱动 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓高电子迁移率晶体管生物传感器 脑损伤检测 封装 手持系统 应用物理快报 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种基于封装型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的生物传感器及其集成手持式检测系统，用于快速、灵敏地检测脑损伤相关生物标志物。该器件通过表面功能化实现对目标蛋白的特异性识别，结合紧凑型读出电路，可在临床环境中实现便携式电化学信号采集与分析。实验结果表明，该系统具有高灵敏度、低检测限和良好的选择性，适用于现场即时检测（POCT）场景下的脑损伤早期诊断，为神经创伤的快速评估提供了可行的技术方案。
English Abstract
Rajiv Thakur, Anil Kumar Saini, Nikhil Suri, Dheeraj Kumar Kharbanda, Rajeev Taliyan, Nidhi Chaturvedi; Packaged GaN HEMT biosensor and handheld system for brain injury detection. _Appl. Phys. Lett._ 3 March 2025; 126 (9): 093703.
S
SunView 深度解读
该GaN HEMT生物传感器研究虽聚焦医疗领域，但其核心技术对阳光电源GaN功率器件应用具有重要启发。文中展示的GaN器件封装技术、表面功能化处理及高灵敏度信号检测方法，可借鉴至功率模块的热管理与可靠性监测。特别是其紧凑型读出电路与便携式系统设计理念，可应用于SG光伏逆变器和ST储能变流器的智能诊断模块，实现功率器件健康状态的实时监测。该技术对开发新一代集成式GaN功率模块、提升iSolarCloud平台的预测性维护能力具有参考价值，有助于推动阳光电源在GaN器件应用与智能运维领域的技术创新。