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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于SiC-MOSFET串联的新型有源电压钳位电路拓扑

A Novel Active Voltage Clamping Circuit Topology for Series-Connection of SiC-MOSFETs

作者 Fan Zhang · Yu Ren · Xu Yang · Wenjie Chen · Laili Wang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2021年4月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC-MOSFET 串联连接 有源电压钳位 电压均衡 功率半导体 快速开关
语言:

中文摘要

SiC-MOSFET串联是实现高压、高速开关功率器件的有效途径。针对串联应用中电压不均衡问题,本文提出了一种新型有源电压钳位电路拓扑,能够有效钳位串联SiC-MOSFET的最大漏源电压。

English Abstract

Series-connection of silicon carbide (SiC)-MOSFETs is an attractive method to achieve a high-voltage and fast-switching power semiconductor switch. In order to deal with the unequal voltage sharing problem in such series connection method, a novel active voltage clamping circuit topology is proposed in this letter. The maximum drain-source voltages of the series-connected SiC-MOSFETs are clamped b...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的高压光伏逆变器(如1500V及以上组串式逆变器)和大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要意义。随着光伏系统电压等级不断提升,SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。通过该有源电压钳位技术,可以解决高压场景下SiC器件串联的均压难题,从而在不依赖超高压单管的情况下实现更高电压等级的功率变换,显著降低系统损耗并提升可靠性。建议研发团队关注该电路的集成度与控制复杂度,评估其在下一代高压PCS及组串式逆变器中的应用潜力。