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兼容硅超结器件10V栅极驱动的先进650V碳化硅功率MOSFET
Advanced 650 V SiC Power MOSFETs With 10 V Gate Drive Compatible With Si Superjunction Devices
| 作者 | Aditi Agarwal · Ajit Kanale · B. Jayant Baliga |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 650 V 栅极驱动电压 电力电子 Si超结 宽禁带 半导体器件 |
语言:
中文摘要
本文介绍了一种在6英寸商业代工厂制造的先进SiC平面栅功率MOSFET。该器件结构经过优化，支持10V栅极驱动电压，使其能与现有的硅超结（Si SJ）器件驱动电路兼容。文章详细对比了三种先进SiC MOSFET的电气特性与当前主流硅器件的性能差异。
English Abstract
Advanced SiC planar-gate power MOSFETs have been successfully manufactured in a 6-inch commercial foundry with device structures optimized for operation with gate drive voltage of 10 V, compatible with gated drive voltage for Si superjunction products. The electrical characteristics of three advanced SiC MOSFET options are described in this article and compared with those of a state-of-the art Si ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。10V栅极驱动兼容性意味着在现有硅基逆变器平台（如户用光伏逆变器、组串式逆变器及充电桩模块）升级至SiC方案时，无需大幅更改驱动电路设计，可显著降低研发成本与技术门槛。对于阳光电源的PowerTitan储能系统及高功率密度组串式逆变器，采用此类SiC MOSFET能有效提升转换效率、减小散热器体积，从而实现产品的小型化与轻量化。建议研发团队评估该器件在下一代高频化、高功率密度产品中的应用潜力，重点关注其在高温环境下的可靠性表现。