← 返回
大尺寸垂直结构氧化镓肖特基势垒二极管的演示
Demonstration of Large-Size Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
| 作者 | Mihee Ji · Neil R. Taylor · Ivan Kravchenko · Pooran Joshi · Tolga Aytug · Lei R. Cao · M. Parans Paranthaman |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | β-Ga2O3 肖特基势垒二极管 HVPE 垂直器件 电力电子 宽禁带 |
语言:
中文摘要
本文展示了基于HVPE外延生长技术制备的大尺寸垂直结构β-Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）。研究通过不同尺寸的圆形和方形接触电极，验证了该宽禁带半导体材料在大功率电力电子器件应用中的潜力。
English Abstract
Large-size vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) with various device areas were demonstrated on a Si-doped n-type drift layer grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on bulk Sn-doped (001) n-type β-Ga2O3 substrate. In this letter, the devices have two circular contacts with a diameter of 1500 and 500 μm and two square contacts with dimensions of 1600 × 1600 μm2 and 800 × 800 μm2, cor...
S
SunView 深度解读
氧化镓（Ga2O3）作为超宽禁带半导体材料，具备比SiC和GaN更高的击穿场强潜力，是未来高压功率器件的前沿方向。对于阳光电源而言，目前核心产品线（如PowerTitan储能系统、组串式逆变器）主要依赖SiC和IGBT技术。虽然氧化镓目前处于实验室验证阶段，但其在提升功率密度和降低导通损耗方面的潜力巨大。建议研发团队持续跟踪其大尺寸晶圆制备工艺及热管理性能的进展，评估其在未来高压、高功率密度光伏逆变器及储能变流器（PCS）中替代现有宽禁带器件的可行性，以保持技术领先优势。