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大尺寸垂直结构氧化镓肖特基势垒二极管的演示
Demonstration of Large-Size Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
Mihee Ji · Neil R. Taylor · Ivan Kravchenko · Pooran Joshi 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
本文展示了基于HVPE外延生长技术制备的大尺寸垂直结构β-Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）。研究通过不同尺寸的圆形和方形接触电极，验证了该宽禁带半导体材料在大功率电力电子器件应用中的潜力。
解读: 氧化镓（Ga2O3）作为超宽禁带半导体材料，具备比SiC和GaN更高的击穿场强潜力，是未来高压功率器件的前沿方向。对于阳光电源而言，目前核心产品线（如PowerTitan储能系统、组串式逆变器）主要依赖SiC和IGBT技术。虽然氧化镓目前处于实验室验证阶段，但其在提升功率密度和降低导通损耗方面的潜力...
退火对超宽禁带h-BN准体单晶结晶质量及器件性能的影响
Annealing effects on crystalline quality and device performance of ultrawide bandgap h-BN quasi-bulk crystals
De Santi · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
六方氮化硼（h-BN）作为典型的超宽禁带半导体，因其独特的层状晶体结构和优异的电学与光学特性，在固态中子探测器等领域具有重要应用。实现高探测效率需要厚且高质量的晶体以增强中子相互作用与载流子收集。尽管氢化物气相外延（HVPE）法可制备厚而均匀的h-BN准体单晶，但其快速生长易引入结构缺陷，影响结晶质量。本研究系统探讨了生长后高温退火（高达1900 °C）对1 mm厚HVPE-grown h-BN晶体的影响。X射线衍射结果表明，随着退火温度升高，结晶质量显著提升，材料电阻率增加，载流子迁移率-寿命...
解读: 该h-BN超宽禁带半导体退火工艺研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的高温退火改善结晶质量、提升载流子迁移率-寿命乘积的机理，可借鉴至SiC/GaN功率器件的制造工艺优化中。在ST储能变流器和SG光伏逆变器的功率模块设计中，通过优化宽禁带器件的热处理工艺，可降低缺陷密度、提升器件耐压...