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一种采用直流电容分布式布置的并联SiC MOSFET半桥单元设计
Design of a Paralleled SiC MOSFET Half-Bridge Unit With Distributed Arrangement of DC Capacitors
| 作者 | Jianzhen Qu · Qianfan Zhang · Xue Yuan · Shumei Cui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联半桥 开关损耗 瞬态电流分配 DC电容 宽禁带器件 电力电子 |
语言:
中文摘要
离散式SiC MOSFET并联使用可提升载流能力，但开关损耗不均和瞬态电流过冲限制了开关频率与电流容量。本文提出一种并联半桥单元设计，通过分布式直流电容布置优化，显著改善了瞬态电流共享性能。
English Abstract
Discrete silicon carbide (SiC) mosfets are usually connected in parallel to increase their current carrying capacity. However, unequal switching losses and unequal transient current overshoot can limit the maximum switching frequency and maximum current carrying capacity of the paralleled unit. In this article, a paralleled half-bridge unit is proposed to improve the transient current sharing perf...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，随着功率密度的不断提升，SiC器件的并联应用已成为主流。该文献提出的分布式电容布置方案能有效降低杂散电感，抑制瞬态过冲，对于提升大功率SiC模块的可靠性、降低开关损耗及优化散热设计至关重要。建议研发团队在下一代高功率密度PCS及组串式逆变器功率模块设计中，引入该分布式电容布局策略，以进一步提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）风险。