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一种用于高压高频应用的新型常关型SiC-JFET/GaN-HEMT共封装级联器件
A Normally-off Copackaged SiC-JFET/GaN-HEMT Cascode Device for High-Voltage and High-Frequency Applications
| 作者 | Gang Lyu · Yuru Wang · Jin Wei · Zheyang Zheng · Jiahui Sun · Long Zhang · Kevin J. Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC-JFET GaN-HEMT 共源共栅配置 功率开关 宽禁带半导体 高压 高频 |
语言:
中文摘要
本文展示了一种1200V/100mΩ的碳化硅（SiC）JFET与氮化镓（GaN）HEMT混合功率开关。该器件采用倒装芯片共封装级联配置，结合了垂直型SiC JFET的高压阻断能力与横向GaN HEMT的低压驱动优势，实现了高压与高频性能的优化。
English Abstract
A 1200-V/100-mΩ silicon carbide (SiC) junction field-effect-transistor (JFET)/ gallium nitride (GaN) high-electron-mobility-transistor (HEMT) hybrid power switch is demonstrated, which features a flip-chip copackaged cascode configuration incorporating a vertical SiC JFET and a lateral GaN-HEMT. The high-voltage SiC-JFET provides the high-voltage blocking capability while the low-voltage GaN-HEMT ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能变流器具有重要参考价值。通过SiC与GaN的级联封装，可在不牺牲耐压等级的前提下显著提升开关频率，从而进一步缩小磁性元件体积，提升整机功率密度。建议研发团队关注该混合封装技术在下一代高频化、小型化光伏逆变器及储能PCS中的应用潜力，特别是在追求极致效率和轻量化的户用及工商业场景中，该技术有望替代传统SiC MOSFET，优化系统热管理与转换效率。