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通过解耦并联GaN HEMT降低轻载开关损耗
Desynchronizing Paralleled GaN HEMTs to Reduce Light-Load Switching Loss
| 作者 | Yanfeng Shen · Luke Shillaber · Hui Zhao · Yunlei Jiang · Teng Long |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 并联连接 开关损耗 轻载效率 电能变换 去同步化 电力电子 |
语言:
中文摘要
为了实现更高电流等级，GaN HEMT并联是经济且必要的方案。然而，在轻载条件下，开关损耗成为主导，导致效率显著下降。本文提出了一种解耦控制策略，通过优化并联GaN器件的驱动时序，有效降低轻载开关损耗，提升整体功率转换效率。
English Abstract
Parallel connection of GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) is a more cost-effective or even an unavoidable solution to achieve higher current ratings. As the load decreases, the switching loss of paralleled HEMTs becomes dominant over the conduction loss, and the overall power conversion efficiency drops sharply. To reduce the light-load switching loss, this article proposes a desynchro...
S
SunView 深度解读
该技术对于阳光电源的组串式逆变器及户用储能产品线具有重要参考价值。随着宽禁带半导体在光伏和储能领域的渗透，如何在高功率密度设计中平衡全负载范围的效率是核心挑战。通过解耦控制并联GaN器件，可以在不增加额外硬件成本的前提下，显著提升产品在轻载（如夜间待机或阴雨天）下的转换效率，助力提升iSolarCloud平台的运维经济性。建议研发团队在下一代高频化逆变器及微型逆变器产品中评估该驱动策略的可行性。