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尖端氮化镓高电子迁移率晶体管如何在允许温度范围内发生灾难性故障？
How Can a Cutting-Edge Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor Encounter Catastrophic Failure Within the Acceptable Temperature Range?
| 作者 | Sungyoung Song · Stig Munk-Nielsen · Christian Uhrenfeldt |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 电力电子 灾难性故障 可靠性 宽禁带半导体 热应力 |
语言:
中文摘要
商用氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管在电力电子领域表现优于硅基器件，且具备抗辐射能力，是空间等严苛环境下高性能电力系统的关键候选者。然而，理解其在额定温度范围内的潜在失效机理对于确保系统可靠性至关重要。
English Abstract
Commercial gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors used for power electronics applications show superior performance compared to silicon (Si)-based transistors. Combined with an increased radiation hardening properties, they are key candidates for high-performance power systems in a harsh environment, such as space. However, for this purpose, it is key to know the potential failur...
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阳光知情 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。该研究揭示了GaN器件在额定温度下的失效机理，对公司研发部门在进行高频拓扑设计、器件选型及热管理设计时具有重要参考价值。建议在产品开发阶段引入该类失效分析模型，优化驱动电路与保护策略，以提升户用逆变器及微型逆变器在复杂工况下的长期可靠性，确保产品在严苛环境下的稳定运行。