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面向封装GaN器件的物理导向器件模型
Physics-Oriented Device Model for Packaged GaN Devices
| 作者 | Dhawal Dilip Mahajan · Sayed Ali Albahrani · Raj Sodhi · Takashi Eguchi · Sourabh Khandelwal |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 基于物理的紧凑模型 GaN 器件 I-V 特性 C-V 特性 器件建模 电力电子 半导体封装 |
语言:
中文摘要
本文探讨了基于物理的紧凑模型在封装GaN器件中的应用。相比经验模型，物理模型在不同偏置条件下表现出更好的一致性与连续性，能精确描述电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）特性，并有效实现工艺参数与几何尺寸的缩放，为高频功率变换器的设计提供了更可靠的仿真基础。
English Abstract
Physics-based compact models have well-known advantages over empirical modeling approaches, such as consistent and physical behavior of the model for different types of device characteristics, continuous capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) behavior for all possible bias conditions, accurate scaling of various currents and capacitances for various process parameters and geometries, ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及充电桩产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用日益广泛。该物理模型能显著提升电路仿真精度，帮助研发团队在设计阶段更准确地预测高频开关下的损耗与电磁干扰，从而优化组串式逆变器及充电桩的PCB布局与散热设计。建议研发部门引入此类物理模型，以替代传统的行为级模型，缩短高频功率模块的开发周期，助力产品向更小体积、更高效率演进。