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兆赫兹工作条件下GaN HEMT E类功率放大器的优化研究
On the Optimization of a Class-E Power Amplifier With GaN HEMTs at Megahertz Operation
| 作者 | Kawin North Surakitbovorn · Juan M. Rivas-Davila |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | E类功率放大器 GaN HEMT 兆赫兹运行 高效率 Coss损耗 电力电子 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
随着宽禁带半导体器件的普及及对高效率功率放大器需求的增长，E类功率放大器重新受到学术界关注。尽管GaN HEMT在兆赫兹高频运行下表现出色，但其输出电容（Coss）在高频下会产生额外的损耗。本文旨在探讨并优化该类器件在高频应用中的性能表现。
English Abstract
Class-E power amplifiers have regained academic interest over the past decades due to the introduction of new high-performance wide-bandgap semiconductor devices and the increasing demand for high-efficiency power amplifiers. While these power devices, notably GaN HEMTs, have exceptional performance at megahertz operation, they also display an additional loss component due to Coss at this frequenc...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于GaN器件在高频（MHz）下的损耗特性与拓扑优化。对于阳光电源而言，虽然目前主流光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan、组串式逆变器）多工作在kHz量级以平衡效率与成本，但随着功率密度要求的不断提升，高频化是未来小型化逆变器及车载充电桩（OBC）的重要趋势。建议研发团队关注GaN在高频下的Coss损耗建模技术，为下一代高功率密度、轻量化户用逆变器及高频充电模块的预研提供理论支撑。