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功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 功率模块 ★ 4.0

宽禁带器件特性表征的新型实践课程

A New Hands-On Course in Characterization of Wide-Bandgap Devices

作者 Zheyu Zhang · Leon M. Tolbert · Daniel Costinett · Fei Wang · Benjamin J. Blalock
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 功率模块
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 宽禁带器件 WBG 特性表征 电力电子 教育 半导体器件 测试
语言:

中文摘要

随着宽禁带(WBG)器件从利基市场走向主流,培养相关领域人才至关重要。本文介绍了一门针对WBG器件特性表征的实践课程,通过“讲座-仿真-实验”相结合的教学模式,旨在帮助工程师掌握WBG技术的核心基础,推动该领域的持续发展。

English Abstract

As wide-bandgap (WBG) devices and applications move from niche to mainstream, a new generation of engineers trained in this area is critical to continue the development of the field. This paper introduces a new hands-on course in characterization of WBG devices, which is an emerging and fundamental topic in WBG-based techniques. First, the lecture–simulation–experiment format based course structur...
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SunView 深度解读

宽禁带半导体(SiC/GaN)是阳光电源提升逆变器功率密度与效率的核心技术路径。目前,公司在组串式逆变器(如SG系列)及储能PCS(如PowerTitan)中已广泛应用SiC器件。该文献强调的器件特性表征方法,对于公司研发部门优化功率模块的开关损耗、热管理及驱动电路设计具有直接参考价值。建议研发团队借鉴文中的实验与仿真结合思路,建立更严谨的WBG器件评估体系,以应对高频化、高效率带来的设计挑战,进一步巩固公司在光储产品上的技术领先地位。