← 返回
高频与超高频功率变换器中的有源功率器件选型
Active Power Device Selection in High- and Very-High-Frequency Power Converters
| 作者 | Grayson Zulauf · Zikang Tong · James D. Plummer · Juan Manuel Rivas-Davila |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 光伏逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率器件 高频变换器 软开关 COSS 损耗 宽禁带半导体 电力电子 效率优化 |
语言:
中文摘要
本文旨在为兆赫兹（MHz）频率下的软开关功率变换器提供功率器件选型指南。在超高频应用中，功率半导体寄生输出电容（COSS）的充放电损耗是制约效率的关键因素，但该损耗通常未在厂商数据手册中明确标注。本文通过分析与测量，为高频变换器的器件评估与选型提供了重要参考。
English Abstract
This paper aims to provide a road map for selecting power devices in soft-switched, megahertz (MHz) frequency power converters. Minimizing COSS losses, which occur when charging and discharging the parasitic output capacitor of power semiconductors, is critical to efficient operation. These losses are excluded from manufacturer-provided information, and measurements are either sparse or not report...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展，开关频率的提升已成为技术演进的必然趋势。本文关于MHz级频率下COSS损耗的分析，对公司研发下一代基于SiC/GaN的宽禁带半导体功率模块具有重要指导意义。建议研发团队在PowerTitan等储能系统及新一代组串式逆变器的拓扑设计中，引入该损耗评估模型，以优化软开关策略，进一步提升系统转换效率并降低散热设计压力，从而在保持高可靠性的前提下实现产品体积的进一步优化。