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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

同步Buck变换器中dv/dt引起的下管MOSFET误导通的新型分析模型

A New Analytical Model for Predicting dv/dt-Induced Low-Side MOSFET False Turn-ON in Synchronous Buck Converters

作者 Ruqi Li · Qiuhua Zhu · Manjing Xie
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年6月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 dv/dt MOSFET 误导通 同步Buck变换器 解析模型 寄生电容 栅极驱动器
语言:

中文摘要

本文研究了同步Buck变换器中,上管开通时dv/dt导致的下管MOSFET误导通现象。通过推导新的解析表达式,精确预测误触发脉冲的幅值和持续时间,揭示了该现象的物理机制,并克服了现有简单模型的局限性。

English Abstract

This paper presents new studies of dv/dt-induced low-side mosfet false trigger when the high-side mosfet is turned on in synchronous buck converters. New analytical expressions are derived and utilized to predict both the magnitude and duration of the false triggering pulse to reveal more physical insight into the phenomenon. In contrast to the existing simple analytical model, the new model takes...
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SunView 深度解读

该研究对阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器、储能变流器PCS及电动汽车充电桩)具有重要指导意义。随着功率密度提升,高频开关下的dv/dt效应愈发显著,易导致桥臂直通风险。该解析模型能帮助研发团队在设计阶段更精准地评估SiC/GaN等宽禁带半导体及高性能MOSFET的驱动电路参数,优化死区时间设置,从而提升产品在极端工况下的可靠性,降低因误触发导致的功率器件失效风险,助力iSolarCloud平台实现更精细的设备状态监测。